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机译:边界对InGaN多量子阱光学特性的影响
Fermi level; III-V semiconductors; Poisson equation; dielectric polarisation; gallium compounds; indium compounds; interface states; photoluminescence; piezoelectric semiconductors; semiconductor quantum wells; spectral line shift; wide band gap semiconductors; InGa;
机译:边界对InGaN多量子阱光学特性的影响
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机译:用量子点电和光学效应模拟IngaN / GaN多量子阱发光二极管
机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
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机译:有和没有掺Si的InGaN预层生长的InGaN / GaN多量子阱结构的光学性能比较