机译:具有双面纹理表面和全向反射器的晶圆键合InGaN-GaN LED的增强的发光效率
III-V semiconductors; gallium compounds; indium compounds; light emitting diodes; reflectivity; surface roughness; surface texture; wafer bonding; wide band gap semiconductors; InGaN-GaN; InGaN-GaN LED; current 20 mA; current 350 mA; double-side textured surface; lase;
机译:使用二维光子晶体和全向反射器的薄膜InGaN-GaN发光二极管增强的垂直提取效率
机译:倾斜侧壁涂有TiO2 / SiO2全向反射器的InGaN / GaN倒装芯片ITO LED的增强
机译:使用背面分布式布拉格反射器提高InGaN / GaN发光二极管的效率
机译:具有自然纹理表面的GaN基LED的提取效率提高
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:沉积后刻蚀的滴滴法制备周期性聚苯乙烯纳米球阵列及其在提高InGaN / GaN LED的光提取效率中的应用
机译:晶圆粘合的内背面反射器,用于增强TPV性能
机译:晶圆粘合内部背面反射器,增强TpV性能