机译:使用无杂质空位扩散的GaAs-AlGaAs结构中的选择性量子阱混合
机译:无杂质空位扩散的InGaAsP-InP多量子阱混合区域选择性
机译:In_1-xGa_xAs / InP和In_1-xGa_xAS / In_1-xGa_xAs_1-yP_y多量子阱结构的量子阱混合,采用无杂质空位扩散技术
机译:阳极氧化物在GaAs-AlGaAs量子阱和量子线结构中的混合
机译:无杂质空位法在AlInGaAs MQW结构中进行量子阱混合
机译:λ= 1.55微米铟磷化铟镓/磷化铟激光结构中的介电增强量子阱混合。
机译:Cu / Cu2O界面中的电子结构和铁磁调制:界面铜空位及其扩散的影响
机译:阳极氧化物诱导的Gaas-alGaas量子阱和量子线结构的混合