机译:V型槽量子线InGaAs-InP激光器的增益和阈值电流计算
III-V semiconductors; band structure; conduction bands; gallium arsenide; indium compounds; k.p calculations; laser theory; quantum well lasers; semiconductor device models; semiconductor quantum wires; Fourier expansion; InGaAs-InP; V-groove quantum-wire InGaAs-InP;
机译:V型槽量子线InGaAs-InP激光器的增益和阈值电流计算
机译:V-GOROVE量子线INGAAS-INP激光的增益和阈值电流计算
机译:V型槽中生长的量子线激光器的增益理论
机译:由于量子线激光器中的一维电子 - 孔等离子体引起的光学增益光谱
机译:基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
机译:带V型槽的通道等离子纳米线激光器
机译:适当的间隔散射率的分解,以便有效地计算量子级联激光器中的电流密度和增益特性
机译:Ne型ag软X射线激光器增益的计算。