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【24h】

Intersubband absorption saturation in InGaAs-AlAsSb quantum wells

机译:InGaAs-AlAsSb量子阱中的子带间吸收饱和

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摘要

We present intersubband absorption saturation studies in InGaAs-AlAsSb quantum wells. We carried out a density matrix calculation to simulate the pulsed excitation condition after including the dephasing time and the short pulse profile to estimate the saturation intensity (IS). We compare the calculated results with measurements for both resonant and nonresonant excitation. We also present our results on the effect of pulsewidth on Is estimation.
机译:我们目前在InGaAs-AlAsSb量子阱中进行子带间吸收饱和研究。在计入移相时间和短脉冲轮廓以估算饱和强度(IS)之后,我们进行了密度矩阵计算以模拟脉冲激励条件。我们将计算结果与共振和非共振激发的测量值进行比较。我们还介绍了关于脉冲宽度对Is估计的影响的结果。

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