机译:具有高检测率的垂直入射InAs自组装量子点红外光电探测器
Microelectron. Res. Center, Texas Univ., Austin, TX, USA;
indium compounds; aluminium compounds; gallium arsenide; III-V semiconductors; semiconductor quantum dots; infrared detectors; self-assembly; dark conductivity; normal-incidence; InAs self-assembled quantum-dot infrared photodetectors; high detectivi;
机译:具有高检测率的垂直入射InAs自组装量子点红外光电探测器
机译:正常入射INAS具有高探测性的自组装量子点红外光电探测器
机译:正常入射INAS具有高探测性的自组装量子点红外光电探测器
机译:具有高探测性的InGaAs / InGaP量子点红外光电探测器
机译:II型InAs / GaSb超晶格红外光电探测器优化和门控光电探测器阵列实现。
机译:基于InAs / InAs1-xSbx / AlAs1-xSbx II型超晶格的偏置可选nBn双波段长/非常长波长红外光电探测器
机译:InP上用于红外光电探测器应用的高质量InAs量子点多层结构的生长