Nedo、世界最高クラスのlow-k材料実用化開発に成功: Hp32nm世代以降の半導体を支える絶縡膜材料

摘要

NEDO技術開発機構は、半導体先端テクノロジーズ（Selete）とともに、世界トップレ ベルの特性を有する低誘電率（Low-k）絶縁膜材料の実用化開発に成功した。これは、2013 年以降の実用化が期待されている次世代半導体LSIを支える有力な技術。この成果は、 Seleteに加えてアルバツク、三井化学、産業技術総合研究所、NECエレクトロニクスと の共同開発によるもの。 Low-k材料を半導体LSI（集積回路）の微細電気配線の絶縁膜に用いることで、LS Iの高速化·低消費電力化を実現できる。今回の成果のポイントは、具体的には①スケー ラブルポーラスシリカ（Low-k）材料を実用化可能なレベルに開発、②同材料を用いた2層 配線構造を作製し基本性能を実証、の2点。