Über transparente oxidische Breitband-Halbleiterschichten sprach am 1. August Prof. Dr. H. R. Khan, IVT Institut für Ionenstrahl- und Vakuumverfahrenstechnik e. V, Ess-lingen, im Rahmen der vom Zentrum für Oberflächentechnik Gmünd (Z. 0. G.) veranstalteten Freitagsseminare im Forschungsinstitut für Edelmetalle und Metallchemie. Die transparenten leitfähigen oxidischen Breitband-Halbleiterschichten mit einer Energielücke von E_g = 3 - 4 eV stehen wegen ihres hohen Anwendungspotentials im Mittelpunkt des Forschungsinteresses. Sie dienen als durchsichtige Heizleiter, zur elektromagnetischen Abschirmung, als lichtemittierende Schichten, in der Dünnschicht-photovoltaik, zur Architekturverglasung und für viele andere Anwendungen.
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机译:8月1日,教授IVT离子束和真空过程工程研究所的H. R. Khan e。 V,Ess-lingen,作为表面技术中心Günd(Z. 0.G.)在贵金属和金属化学研究所举办的星期五研讨会的一部分。能隙为E_g = 3-4 eV的透明导电氧化宽带半导体层由于具有很高的应用潜力而成为研究重点。它们用作透明的加热导体,用于电磁屏蔽,用作薄膜光伏中的发光层,用于建筑玻璃和许多其他应用。
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