...
机译:使用15-kV / 40-A SiC N-IGBT的中压三相转换器的功率损耗分析
Department of Electrical and Computer Engineering, FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA;
15-kV silicon carbide (SiC) insulated gate bipolar transistor (IGBT); SiC; SiC IGBT heat-run test; medium-voltage (MV) high-power converter; thermal analysis;
机译:在相同dv / dt条件下用于中压转换器的15kV SiC MOSFET和15kV SiC IGBT的比较评估
机译:15-kV / 40-A FREEDM Supercascode:具有成本效益的SiC高压和高频功率开关
机译:基于15 kV SiC MOSFET的中压中频隔离式DC-DC转换器
机译:在MATLAB / SIMULINK中由非对称功率转换器馈电的三相12/8开关磁阻电机的功率损耗分析
机译:用于开关变换器的SiC功率半导体器件的建模和损耗分析
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:高功率转换器的15 kV SiC N-IGBT的表征及其应用考虑因素
机译:三相交流变换器动态分析:脉冲调制三相交流变换器动态分析与综合方法