Pomiary termiczne dla weryfikacji wartości strat łączeniowych w półprzewodnikowych przyrządach mocy

摘要

In the paper investigations dedicated to development of measurement methods of power loss in fast semiconductor switches such as MOSFET or IGBT are presented. During the design of converters with high switching frequencies the estimation of switching power losses based on recorded switch current and voltage curves is difficult and does not provide adequate results. The method of quantitative measurement of semiconductor switch power losses with the use of thermal steady state picture registration is described and illustrated with laboratory result examples%Artykuł jest poświęcony prezentacji prac badawczych mających na celu rozwinięcie metod pomiaru strat łączeniowych w szybkich łącznikach półprzewodnikowych jak MOS oraz IGBT. Przy projektowaniu przekształtników pracujących z dużą częstotliwością łączeń określenie strat łączeniowych na podstawie rejestrowanych przebiegów napięcia i prądu jest trudne i nie daje jednoznacznych wyników. W pracy przedstawiono metodę ilościowego wyznaczania strat energii przy załączaniu i wyłączaniu tranzystorów z zastosowaniem obrazu zarejestrowanego za pomocą kamery termograficznej.