首页> 外文期刊>Przeglad Elektrotechniczny >Wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza
【24h】

Wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza

机译:IGBT热库复杂性在PLECS计划中的影响对其内部温度测定的精度

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

W pracy przedstawiono wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza. Przedstawiono sposób modelowania tranzystora IGBT w programie PLECS, a także sprawdzono jak należy opisywać jago właściwości statyczne by uzyskać dobrą dokładność obliczania temperatury wnętrza tego tranzystora. Wykonano obliczenia i określono wartości błędu względnego wyznaczania przyrostu temperatury wnętrza dla różnych sposobów odwzorowania jego charakterystyki wyjściowej.
机译:本文介绍了IGBT热库复杂性在PLEC程序中的复杂性提高了确定内部温度的准确性。已经介绍了一种用于在PLEC程序中建模IGBT晶体管的方法以及检查如何描述Jago静态属性以获得良好的精度以计算该晶体管的温度。已经执行了计算的计算和内部温度的相对误差的值,用于映射其起始特性的不同方法。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号