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Schnelle und sanfte Recovery

机译:快速平稳的恢复

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摘要

Die Field-Stop-IGBT-Technologie von Fairchild ermöglicht das Entwickeln von Systemdesigns mit höheren Eingangsspannungen. Dabei kann besonders, wenn es auf geringe Leitungs- und Schaltverluste ankommt, die Leistung optimiert werden. Die 650-V-IGBTs mit antiparallel geschalteten Dioden bieten eine hohe Strombelastbarkeit, einen positiven Temperaturkoeffizienten, enge Toleranzbereiche und einen weiten sicheren Arbeitsbereich.
机译:飞兆半导体的场截止IGBT技术使系统设计可以在更高的输入电压下开发。可以优化性能,尤其是在低线路和开关损耗方面。具有反并联二极管的650 V IGBT具有高载流能力,正温度系数,窄公差范围和宽安全工作范围。

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    《Elektronikpraxis》 |2012年第9期|p.28|共1页
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