SiC-Bauelemente in der elektrischen Antriebstechnik

摘要

Anwendungen im europäischen Raum verwenden hauptsächlich 600/650-V- und 1200-V-Halbleiter. Aktuell sind im Bereich 600/650-V-SJ-MOSFETs und IGBTs dominierend, im Bereich 1200 V fast ausschließlich IGBTs. SiC-Transistoren sind im 1200-V-Bereich in unterschiedlichen Varianten verschiedener Hersteller erhältlich. Welche Möglichkeiten, aber auch Limitierungen, sich für die Antriebstechnik aus dem Einsatz der SiC-Technologien ergeben, wird im folgenden Artikel beleuchtet.