...
机译:通过MESFET模型的参数公式扩展谐波平衡分析的功率处理能力
Dipartimento di Electtronica, Inf. e Sistemistica, Bologna Univ., Italy;
Schottky gate field effect transistors; harmonics; iterative methods; semiconductor device models; solid-state microwave circuits; MESFET model; Newton iteration; Schottky-barrier current; convergence properties; harmonic-balance analysis; nonlinear microwave FET circuits; parametric equations; parametric formulation; parametric modelling; power-handling capabilities; robust analysis; well-behaved functions;
机译:亚阈值行为的二维分析模型,用于研究深亚微米双栅GaN-MESFET的定标能力
机译:具有两个对称放置的双L型隔断的矩形波导的阻抗,衰减和功率处理能力分析
机译:使用包括陷阱效应的大信号模型对Volterra系列GaN MESFET进行非线性分析
机译:用参数建模方法分析GaAs MESFET噪声特性的失效
机译:砷化镓MESFET电路设计中的噪声测量,模型和分析。
机译:将参数半参数和非参数生存模型与堆叠生存模型相结合
机译:微流体装置中体外细胞模型的数学制剂和参数分析:胶质母细胞瘤进化不同阶段的应用
机译:ECm天线的功率处理能力