11% efficiency 100 GHz InP-based heterostructure barrier varactor quintupler

Bryllert T.; Olsen A.; Vukusic J.; Emadi T.A.; Ingvarson M.; Stake J.; Lippens D.

首页> 外文期刊>Electronics Letters >11% efficiency 100 GHz InP-based heterostructure barrier varactor quintupler

【24h】

11% efficiency 100 GHz InP-based heterostructure barrier varactor quintupler

机译：效率为11％的100 GHz基于InP的异质结构势垒变容二极管五重态

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面封底 >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

团队文献服务 >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

A record conversion efficiency of 11.4% at 100 GHz using a heterostructure barrier varactor (HBV) quintupler is demonstrated. The quintupler is based on a microstrip circuit mounted in a full-height crossed-waveguide block. The nonlinear element consists of a planar HBV diode fabricated in InGaAs/InAlAs/AlAs epitaxial layers on an InP substrate.

机译：使用异质结构势垒变容二极管（HBV）五重耦合器，在100 GHz下的转换效率达到了创纪录的11.4％。五重奏基于安装在全高交叉波导模块中的微带电路。非线性元件由在InP衬底上的InGaAs / InAlAs / AlAs外延层中制造的平面HBV二极管组成。

著录项

来源
《Electronics Letters》 |2005年第3期|p.131-132|共2页
作者
Bryllert T.; Olsen A.; Vukusic J.; Emadi T.A.; Ingvarson M.; Stake J.; Lippens D.;
展开▼
作者单位

Dept. of Solid State Phys., Lund Univ.;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
III-V semiconductors; aluminium compounds; frequency multipliers; gallium arsenide; indium compounds; microstrip circuits; millimetre wave diodes; semiconductor epitaxial layers; varactors; 100 GHz; InGaAs-InAlAs-AlAs; InGaAs-InAlAs-AlAs epitaxial layers; InP; InP su;

机译：III-V半导体;铝化合物;倍频器;砷化镓;铟化合物;微带电路;毫米波二极管;半导体外延层;变容二极管;100 GHz;InGaAs-InAlAs-AlAs;InGaAs-InAlAs-AlAs外延层;InP;InP su;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A 5 mW and 5% efficiency 210 GHz InP-based heterostructure barrier varactor quintupler [J] . Qun Xiao, Yiwei Duan, Hesler J.L., IEEE microwave and wireless components letters . 2004,第4期

机译：5 mW和5％效率的基于210 GHz InP的异质结构势垒变容二极管五重态
2. 5-mW and 5% efficiency 216-GHz InP-based heterostructure barrier varactor tripler [J] . Melique X., Mann C. IEEE Microwave and Guided Wave Letters . 1998,第11期

机译：5mW和5％效率的基于216 GHz InP的异质结构势垒变容二极管三极管
3. Fabrication and performance of InP-based heterostructure barrier varactors in a 250-GHz waveguide tripler [J] . Melique X., Maestrini A. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2000,第6期

机译：250 GHz波导三路复用器中基于InP的异质结构势垒变容二极管的制造和性能
4. Design and analysis of 500 GHz heterostructure barrier varactor quintuplers [C] . Mattias Ingvarson, Arne Oistein Olsen, Jan Stake International Symposium on Space Terahertz Technology; 20030422-24; Tucson,AZ(US) . 2003

机译：500 GHz异质结构势垒变容五极管的设计与分析
5. Millimeter and sub-millimeter wave heterostructure barrier varactor frequency multipliers. [D] . Xiao, Qun. 2005

机译：毫米波和亚毫米波异质结构势垒变容二极管倍频器。
6. A Varactor-Based Very Compact Tunable Filter with Wide Tuning Range for 4G and Sub-6 GHz 5G Communications [O] . Yasir I. A. Al-Yasir, Naser Ojaroudi Parchin, Yuxiang Tu, 2020

机译：基于变容仪的非常紧凑的可调滤波器具有4G和Sub-6 GHz 5G通信的宽调谐范围
7. A 0.2-W Heterostructure Barrier Varactor Frequency Tripler at 113 GHz [O] . Vukusic, Josip, Bryllert, Tomas, Emadi, T. Arezoo, 2007

机译：0.2 W异质结构势垒变容二极管频率三分频器，频率为113 GHz
8. InAs-based Heterostructure Barrier Varactor Diodes with the In0.3Al0.7As0.4Sb0.6 as the Barrier Material. [R] . Champlain, J. G., Magno, R., Ancona, M., 2008

机译：基于Inas的异质结构势垒变容二极管，以In0.3al0.7as0.4sb0.6为阻挡材料。

11% efficiency 100 GHz InP-based heterostructure barrier varactor quintupler

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅