机译:6–18 GHz,26 W GaN HEMT紧凑型功率组合非均匀分布式放大器
Seoul National University, Korea;
Seoul National University, Korea;
Seoul National University, Korea;
EW Center, Korea;
EW Center, Korea;
ADD, Korea;
Seoul National University, Korea;
power combiners; HEMT integrated circuits; field effect MMIC; gallium compounds; III-V semiconductors; wide band gap semiconductors; MMIC power amplifiers; distributed amplifiers;
机译:6-GHz-to-18-GHz ALGAN / GAN级联非均匀分布式功率放大器MMIC使用增加的串联栅极电容
机译:采用0.1μmT栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的18-31 GHz GaN宽带低噪声放大器(LNA)
机译:6-18 GHz,8.1 W尺寸高效GaN分布式放大器MMIC
机译:具有分布式共源GaN HEMT和4路Wilkinson-Lange合成器的24.8 W波段功率放大器在95GHz时可实现6W输出功率和18%PAE
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:基于GaN HEMTs技术的4-18GHz 6W倒装芯片集成功率放大器的建模