机译:采用单个GaAs MMIC芯片的可调谐静磁波振荡器
Lincoln Lab., MIT, Lexington, MA, USA;
III-V semiconductors; MMIC; gallium arsenide; magnetostatic wave devices; microwave oscillators; 4.82 to 6.39 GHz; GaAs; feedback loop; magnetostatic surface-wave delay-line oscillator; microwave tunable; monolithic amplifier chip; oscillation frequency; output power; phase noise; single-mode oscillation;
机译:适用于1.9 GHz单芯片前端MMIC的具有高功率效率和低噪声系数的埋线自对准GaAs MESFET
机译:采用周期性穿孔的接地金属的微带线的基本RF特性及其在GaAs MMIC上的高度小型片上无源元件中的应用
机译:具有有源反馈电路技术的3.2V操作单芯片双频AlGaAs / GaAs HBT MMIC功率放大器
机译:高度小型化的片上RF组件,采用PPGM,具有单侧通孔,用于应用于GaAs MMIC
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:GaAs MMIC的Au-Sn焊料与不同背面金属化系统之间的微观结构表征和界面反应
机译:GaAs机载有源相控阵合成孔径雷达单芯片C波段线性MMIC矢量调制器
机译:采用单个Gaas mmIC(单片微波集成电路)芯片的可调谐静磁波振荡器