Vorteile und Kernkompetenzen von Gate-Treibern

摘要

Ein IGBT enthält eine innere MOSFET- und eine Bipolar-Struktur. Der MOSFET steuert dabei den Bipolar-Transis-tor, welcher den Leistungsfluss über die Kollektor-Emitter-Strecke führt. So ergänzen sich die Vorteile der hochohmigen Steuerung eines MOSFET mit dem begrenzten Spannungsabfall an einem Bipolartransistor.