Le GaN : un matériau riche de promesses pour la conversion d'énergie

摘要

Hors du domaine de l'optoélectronique avec le développement de Del à haute luminosité et de diodes laser bleues, le nitrure de gallium suscite depuis quelques années un engouement croissant. Les propriétés remarquables (grande largeur de bande interdite, forte tension de rupture, mobilité électronique élevée...) de ce matériau en font aussi un excellent candidat pour la réalisation de semiconducteurs de puissance RF. Vis-à-vis du silicium, ou d'autres matériaux composés comme l'arséniure de gallium, le GaN garantit en effet des densités de puissance supérieures à des fréquences élevées. Les étages d'amplification à destination des stations de base de la téléphonie mobile, des radars, des communications satellite... en sont les premiers bénéficiaires.