Aufbruch in eine neue Speicher-Ära

摘要

Mittlerweile gibt es gut ein halbes Dutzend verschiedene Speichertechnologien, die mit verschiedenen Vor-, aber auch Nachteilen behaftet sind. Ideal wäre ein nichtflüchtiger, schneller, beliebig oft wiederbeschreibbarer Speicherbaustein, bei dem mit der gleichen Spannung Informationen ein- und ausgelesen werden können. Mit dem ferroelektrischen MFMIS-FET scheint man diesem Ziel einen Schritt näher gekommen zu sein.