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【24h】

Inside Intel: Von 300-mm-Wafern und 0,13-μm-Kupferprozessen

机译:英特尔内部:300毫米晶圆和0.13μm铜工艺

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摘要

Für Intels Pentium-III-Generation war ein 0,18-μm-Prozess mit Aluminiummetallisierung noch ausreichend. Doch die von hohen Taktfrequenzen lebende Pentium-4-Generation, die zudem mit 42 Mio. Transistoren fast die doppelte Siliziumfläche beansprucht, zwingt den Prozessorgiganten zum Übergang auf neue Fertigungsverfahren. Ein 0,13-μm-Prozess mit Kupfermetallisierungen und Fertigung auf 300-mm-Wafern sollen Intels Zukunft sichern.
机译:对于Intel的Pentium III世代,铝金属化的0.18μm工艺仍然足够。但是,奔腾4代具有较高的时钟频率,并拥有4200万个晶体管,并且占据了几乎两倍的硅面积,迫使处理器巨头转向新的制造工艺。采用0.13μm的工艺进行铜金属化并在300 mm晶圆上进行生产应该可以确保英特尔的未来。

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