Zwar spielt der GMR-Effekt (Giant Magneto Resistance) bei der Herstellung von Dünnschicht-Leseköpfen für Computer-Festplatten längst keine Rolle mehr, dafür greifen die Entwickler von Elektronik und Sensor-Technik verstärkt auf das hochempfindlich auf Änderungen des Magnetfeldes reagierende Bauelement zu.rnGMR-Elemente eignen sich wegen ihrer hohen Empfindlichkeit auch für die Realisierung einer galvanischen Trennung als Ersatz für einen Transformator oder einen Optokoppler. Das im Städtchen Eden Prairie südwestlich Minneapolis (Minnesota) im „mittleren Westen" der USA angesiedelte Unternehmen NVE Corporation arbeitet bereits seit 1994 an elektronischen Bauelementen, die den MR- bzw. GMR-Effekt nutzen. Die in Dünnschicht-Technologie erstellten magnetischen Schichten reagieren mit einer drastischen Widerstandsänderung auf geringe Änderungen eines Magnetfeldes. Der Aufbau eines elektronischen Bausteins ist denkbar einfach: Der Primärstrom erzeugt über eine Spule ein Magnetfeld, dessen Änderungen von einer GMR-Wheatstone-Brücke erfasst werden. Die Spannungsdifferenz an der Brücke wird schließlich von einem Operationsverstärker auf den erforderlichen Pegel gebracht.
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