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Energieverbrauch in FPGAs

机译:FPGA的能耗

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摘要

Der Gesamtenergieverbrauch eines FPGA ergibt sich aus den drei Betriebsphasen Startup, dynamischer Betrieb und statischer Betrieb. Beim Hochfahren wird der Energieverbrauch im Wesentlichen durch die Konfiguration bestimmt, bei der die Routing- und LUT-Konfigurationen aus dem Speicher in den FPGA-Baustein geladen werden. Bei SRAM-FPGAs können dort Ströme in der Größenordnung von mehreren 100 mA fließen - und das für mehrere hundert ms. Gerade bei batteriebetriebenen Anwendungen, wo die Lebensdauer der Batterie durch gleichmäßige Lasten verlängert werden kann, stellen diese hohen Eingangsbelastungen ein Problem dar.rnDas iCE-FPGA benötigt beim Hochfahren maximal 1,2 mA, da die Konfiguration in einem nichtflüchtigen On-Chip-Speicher abgelegt ist. Die statische Leistungsaufnahme wird primär durch Leckströme der Transistoren verursacht, die selbst dann auftreten, wenn diese gar nicht schalten. Die Leckströme steigen mit kleineren Prozessgeometrien und höheren Transistorzahlen pro Baustein.
机译:FPGA的总能耗来自启动,动态操作和静态操作三个操作阶段。启动时,能耗基本上由配置决定,在该配置中,路由和LUT配置从存储器加载到FPGA模块中。使用SRAM FPGA,大约有100 mA的量级电流可以在其中流过-持续数百ms。尤其是在电池供电的应用中,即使负载均可以延长电池寿命,这些高输入负载也会带来问题是。静态功耗主要是由晶体管泄漏电流引起的,即使不切换也会发生泄漏电流。泄漏电流随着工艺几何尺寸的减小和每个模块的晶体管数量的增加而增加。

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    《Elektronik》 |2008年第15期|24-25|共2页
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