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【24h】

Gate-Drain-Ladungskapazitätswerte um 40 % reduziert

机译:栅极漏极电荷电容值降低40%

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摘要

Ein gegenüber den bisherigen Power-MOSFETs von Renesas Electronics um 40 % verringerter FOM-Wert (Figure of Merit) zeichnet die drei bei MSC in Musterstückzahlen erhältlichen Bausteine RJK0210DPA, RJK-0211 DPA und RJK0212DPA aus. Außerdem sind die Bausteine PJK021ODPA für 40 A, der RJK-0211DPA für 30 A und der RJK-0212DPA für 25 A Maximalstrom (ID) ausgelegt, die typischen FOM-Werte bei 4,5 V_(GS)_ für die GS jeweiligen Bausteine werden vom Hersteller mit 6,84 mΩ·nC, 7,83 mΩnC und 7,2 mΩ·nC angegeben.
机译:MSC提供的三种RJK0210DPA,RJK-0211 DPA和RJK0212DPA模块与以前的瑞萨电子功率MOSFET相比,其FOM降低了40%(优点图)。此外,还设计了用于40 A的模块PJK021ODPA,用于30 A的RJK-0211DPA和用于25 A的RJK-0212DPA最大电流(ID),GS相应模块的典型FOM值为4.5 V_(GS)_由制造商指定为6.84mΩ·nC,7.83mΩ·nC和7.2mΩ·nC。

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    《Elektronik 》 |2010年第24期| p.47| 共1页
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