机译:ESD保护器件可在纳秒内钳位15 kV至7 V
机译:纳米CMOS技术中具有嵌入式SCR结构作为电源轨ESD钳位设备的I / O单元的ESD保护设计
机译:用于电源导轨ESD钳位电路的衬底触发ESD钳位设备
机译:英飞凌ESD保护器件,能够达到25kV,耗散高达50A的EFT
机译:具有集成的7kV / 15kV ESD保护的低频段UWB LNA
机译:由15 kV碳化硅功率器件实现的中压大功率并网三相逆变器。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:分布式发电对天线中70 kV / 15 kV变压器保护原理的影响:零序过电压保护U0>