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摘要

The EPC2100 is the first commercially available enhancement-mode monolithic GaN transistor half bridge. It integrates two eGaN power FETs into a single device so the interconnect inductances and the interstitial space needed on the PCB are eliminated. This increases both efficiency (especially at higher frequencies) and power density, while reducing assembly costs to the end user's power conversion system.
机译:EPC2100是第一款可商购的增强型单片GaN晶体管半桥。它将两个eGaN功率FET集成到一个器件中,因此消除了PCB上所需的互连电感和间隙空间。这既提高了效率(特别是在较高频率下),又提高了功率密度,同时降低了最终用户的功率转换系统的组装成本。

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    《Electronic products》 |2014年第6期|40-4143-464850-52|共10页
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  • 正文语种 eng
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