熱刬理装置（rtp装置，アニール装置）

摘要

サーマルバジェット低減のため，45nm世 代では“ミリ秒”アニール装置が導入された. 32nm世代ではデバイス構造や材料の変化か ら，アニール装置に対する要求はより複雑化 している。本稿ではナ“ミリ秒"アニールが 必須のアニール技術となるための課題と, RTP技術のさらなる進化について解説する。