机译:应变$ hbox {Si} _ {1-x} hbox {Ge} _ {x} / hbox {SOI} $ pMOSFET中空穴传输的实验研究:第二部分-纳米级PMOS中的迁移率和高场传输
French Atomic Energy Commission Laboratory for Electronics and Information Technology (CEA-LETI),CEA-LETI Minatec, Grenoble,;
Hole mobility; MOSFETs; SiGe; strain; transport;
机译:双轴压缩应变$ hbox {Si} _ {0.5} hbox {Ge} _ {0.5} $沿$ langle hbox {110} rangle $和$的量子阱pMOSFET的状态性能增强和与通道方向相关的性能langle hbox {100} rangle $频道方向
机译:新型$ hbox {SiH} _ {4} $ – $ hbox {NH} _ {3} $对界面工程高迁移率$ hbox {HfO} _ {2} $-门控Ge的有效表面钝化处理和BTI特性MOSFET
机译:具有$ hbox {Si / Si} _ {0.25} hbox {Ge} _ {0.75} / hbox {Si} $的$ L_ {g} sim hbox {55} hbox {nm} $ pMOSFET的演示,高<
机译:单轴应变pMOSFET空穴传输的实验和理论分析
机译:应变硅锗沟道PMOSFET的开发可集成到现有的硅锗HBT技术中。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:伪四元$$ hbox {Mg} _ {2} hbox {Si} _ {1-xy} hbox {Sn} _ {x} hbox {Ge} _ {y} $$ Mg的电子结构和热电性质2 Si 1-x-y Sn x Ge y基材料