机译:用于10nm CMOS的掺杂多阈值FinFET的性能和可变性
Device Modeling Group, School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.;
Doping; Electromagnetic compatibility; FinFETs; Semiconductor device modeling; Semiconductor process modeling; Threshold voltage; Atomistic doping; continuous doping; density gradient; random dopants; statistical simulations;
机译:栅极重叠和源极/漏极掺杂梯度对10nm CMOS性能的影响
机译:栅极重叠和源极/漏极掺杂梯度对10nm CMOS性能的影响
机译:4096-Neuron 1M-Synapse 3.8pJ / SOP尖峰神经网络,具有片上STDP学习功能和10nm FinFET CMOS的稀疏权重
机译:基于0.5V基于BJT的CMOS热传感器,在10-NM FinFET技术中
机译:10纳米CMOS:一项具有功耗/性能评估的技术要求设计研究。
机译:具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
机译:基于紧凑型变压器的F FinFET CMOS中的基于压缩器的Fractional-n Adpll