机译:再谈III型氮化物双异质结构:MIS设备阈值电压工程的好处
GaN Device Technology, RWTH Aachen University, Aachen, Germany;
Enhancement mode (e-mode); HEMT; MOS-HEMT; MOS-HFET; MOS-HFET.; gallium nitride; heterostructure field-effect transistor (HFET);
机译:AlGaN / GaN异质结构阈值电压工程的局限性在于介电界面电荷密度和氧等离子体表面处理的操纵
机译:深亚微米双栅极全耗尽SOI PMOS器件:使用准2D方法的简明短沟道效应阈值电压模型
机译:低功率半导体器件PNIN双栅极隧穿场效应晶体管的伪二维阈值电压模型
机译:使用考虑边缘电场效应的紧凑模型分析栅极失准对双栅极(DG)超薄全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)NMOS器件阈值电压的影响
机译:III氮化物异质结构的先进极化工程技术,可用于高速器件应用。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:III族氮化物异质结构中的偏振工程:器件设计的新机会
机译:用于电子器件的III-氮化物/石墨烯异质结构的外延生长。