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机译:通过硫辅助金属诱导的间隙状态工程,在钨蛋白酶(WSE2)场效应晶体管中选择性电子或空穴传导
Indian Inst Sci Dept Elect Syst Engn Adv Nanoelect Device & Circuit Res Lab Bengaluru 560012 India;
Indian Inst Sci Dept Elect Syst Engn Adv Nanoelect Device & Circuit Res Lab Bengaluru 560012 India;
Indian Inst Sci Dept Elect Syst Engn Adv Nanoelect Device & Circuit Res Lab Bengaluru 560012 India;
Indian Inst Sci Ctr Nano Sci & Engn Bengaluru 560012 India;
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Indian Inst Sci Dept Elect Syst Engn Adv Nanoelect Device & Circuit Res Lab Bengaluru 560012 India;
CMOS integrated circuits; FET; metal-induced gap states (MIGSs); tungsten diselenide (WSe);
机译:低温光电导性少数层P型钨丁烯(WSE2)场效应晶体管(FET)
机译:高度敏感和可重复使用的膜 - 效应晶体管(FET) - 型钨丁烯(WSE2)生物传感器
机译:双极场效应晶体管的原子薄双通道WSe2 / MoS2异质结构中的栅极可调谐空穴和电子载流子传输。
机译:飞秒激光烧蚀蓝宝石上的单层钨二硒化物(WSe2)
机译:合成的WSE2场效应晶体管和陡峭晶体管的过程
机译:容易的p掺杂对双极WSe2场效应晶体管的电和光电特性的影响
机译:电子 - 空穴双层隧穿场效应晶体管的工程设计