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机译:高掺杂InGaAs鳍片的鳍片宽度缩放
Microsystems Technology Laboratories Massachusetts Institute of Technology Cambridge MA USA;
Microsystems Technology Laboratories Massachusetts Institute o;
Indium gallium arsenide; Resistance; Etching; Oxidation; FinFETs; Contact resistance; Electrical resistance measurement;
机译:考虑量子约束效应的InGaAs和Si负电容FinFET阈值电压的鳍宽灵敏度研究
机译:鳍宽对基于InGaAs的独立双栅FinFET的特性的影响
机译:低于10nm的鳍宽自对准InGaAs FinFET
机译:重新评估InGaAs的逻辑:10nm以下鳍片宽度FinFET中的迁移率提取
机译:超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
机译:溶液基氧化铝掺杂的氧化锌(AZO)纳米油墨的大规模激光结晶用于高度透明的导电电极
机译:用Al2O3 / HFO2对IN0.53GA0.47AS三栅极金属氧化物 - 半导体 - 效应 - 晶体管对低功率逻辑应用的影响等效氧化物厚度和翅片宽度缩放的影响
机译:具有p掺杂表面层的alGaas / InGaas假晶调制掺杂场效应晶体管的制作