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机译:具有堆叠准直栅电极的模制钼纳米尖端阵列的场发射特性
Laboratory for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Institut, Villigen-PSI, Switzerland;
Collimation; double-gate field-emitter arrays (FEAs); electron emission; high brilliance; metallic emitters; molding;
机译:使用40000尖端金属双栅场发射器阵列进行电子束准直和原位控制纳米尖端的锐度分布
机译:TiO2纳米尖端阵列:阳极制造和场发射特性。
机译:氧化钨纳米尖端阵列的生长和场发射特性
机译:带有40,000个尖端的双栅极金属场发射器阵列的电子束准直和纳米尖端锐度分布的原位控制
机译:用于CMOS栅电极应用的金属合金和栅堆叠工程。
机译:以石墨烯/ CNT为边缘电极的堆叠式3D RRAM阵列
机译:具有堆叠准直栅电极的模制钼纳米尖端阵列的场发射特性