机译:基于聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)薄膜的有机非易失性存储器件的电极材料相关开关特性
Department of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang , Korea;
Compliance current (CC); nonvolatile memory devices; poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) thin film; various electrode materials;
机译:基于聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)薄膜的非易失性存储器件的双极开关特性
机译:基于聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)薄膜的非易失性存储器件的单极开关特性
机译:碳纳米管-聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)复合薄膜的双稳态电开关和非易失性存储效应
机译:电流密度对聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT-PSS)导电膜的形貌,电化学和生物学特性的影响
机译:聚(3,4-乙二氧基噻吩)的低温加工:聚(苯乙烯磺酸盐)水凝胶用于生物医学应用
机译:HDI改性的效果对聚(34-乙二氧基噻吩)的热电性能:聚(苯乙烯磺酸盐)纳米复合膜
机译:基于聚(3,4-乙二氧基噻吩)的非易失性存储器件的双极切换特性:聚(苯乙烯磺酸盐)薄膜