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机译:具无迟滞Sub-60-mV /十年切换功能的负电容场效应晶体管
Jaesung Jo is with the School of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul 02504, Republic of Korea.;
CMOS; MOSFET; Negative capacitance; ferroelectrics; negative capacitance; steep switching;
机译:60mV /十年以下陡峭开关器件拓扑绝缘体中负量子电容的实验证据
机译:具有集成铁电聚合物的2D负电容场效应晶体管的低于60 mV /十倍频开关
机译:使用非线性多电容的无磁滞负电容场效应晶体管
机译:陡坡无迟滞负电容2D晶体管
机译:二维二硫化钼负电容场效应晶体管
机译:用于低功率应用的陡峭开关设备:负差分电容/电阻场效应晶体管
机译:作者矫正:直接生长正交HF0.5ZR0.5O2用于无滞后MOS2负电容场效应晶体管的薄膜