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机译:Saddle Fin基DRAM中的软错误
NASA Ctr Nanotechnol Ames Res Ctr Moffett Field CA 94035 USA;
NASA Ctr Nanotechnol Ames Res Ctr Moffett Field CA 94035 USA|Pohang Univ Sci & Technol Dept Elect Engn Pohang 37673 South Korea;
NASA Ctr Nanotechnol Ames Res Ctr Moffett Field CA 94035 USA;
Pohang Univ Sci & Technol Dept Elect Engn Pohang 37673 South Korea;
NASA Ctr Nanotechnol Ames Res Ctr Moffett Field CA 94035 USA;
DRAM; single event effects; soft error; alpha particle; neutron; saddle fin transistor; TCAD simulation;
机译:基于鞍形鳍的DRAM中的软错误
机译:缓解传递字线诱导马鞍鳍DRAM中的软错误
机译:通过使用倾斜离子注入(TIS-Fin)来控制低于50nm DRAM的氧化物刻蚀速率的鞍鳍单元晶体管
机译:用于子50nm DRAM技术的高度可伸缩的鞍形鳍片(S-FIN)晶体管
机译:用GEANT4模拟翅片场效应晶体管中的重离子软错误横截面
机译:基于斜截线法与铬51乙二胺四乙酸的肾小球滤过率和误差计算通过新的临床软件:GFRcalc
机译:用于HpC的可调整,基于软件的DRam错误检测和校正库