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摘要

For more than half a century, the place to find out about the next generation of electronic-circuit elements, from the FET to the latest in quantum-dot technology or alternative nonvolatile memory, has been IEDM . This year's edition, from Dec 10 through 12 in Washington, will headline an in-depth discussion of high-k/metal-gate transistors for 45-nm processes, including Intel's first detailed public description of its apparently industry-leading process.
机译:超过半个世纪以来,IEDM一直是寻找下一代电子电路元件的地方,从FET到最新的量子点技术或替代性非易失性存储器。今年的版本将于12月10日至12日在华盛顿举行,它将成为针对45纳米工艺的高k /金属栅晶体管的深入讨论的主题,其中包括英特尔对其表面上业界领先工艺的首次详细公开描述。

著录项

  • 来源
    《Electrical Design News》 |2007年第22期|p.92|共1页
  • 作者

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
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