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Simple circuit controls the rate of voltage change acrossa capacitor or another load

机译:简单的电路控制电容器或另一负载两端的电压变化率

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摘要

The circuit in this Design Idea lets you set a well-controlled voltage rate of change, often expressed as the differential dV/dt (instantaneous rate of voltage change over time in volts per second). You can vary the sensitivity with a potentiometer. Set the dV/dt from 1V/200 nsec to 1V/3 msec.The input voltage can range from a few volts to 30V. Higher-voltage transistors can be used to increase the upper voltage limit. The circuit precharges a capacitor with a slow and controllable dV/dt to avoid a large inrush current during power-up. You can also use the circuit to create a high dV/dt for sus-ceptibility testing on other circuits.The circuit uses a P-channel MOSFET, Qj, to control the rate of change of the output voltage (Figure 1). You drive the MOSFET with a constant-current source comprising Q4 and Rcs, which feeds gate-to-source resistor Ros.
机译:该设计思路中的电路可让您设置一个控制良好的电压变化率,通常表示为差分dV / dt(电压随时间的瞬时变化率,单位为伏/秒)。您可以使用电位计来改变灵敏度。将dV / dt设置为1V / 200 ns至1V / 3毫秒。输入电压的范围可以从几伏到30V。可以使用更高电压的晶体管来增加电压上限。该电路以缓慢且可控制的dV / dt对电容器进行预充电,以避免在上电期间产生较大的浪涌电流。您还可以使用该电路为其他电路上的磁敏度测试创建一个高dV / dt,该电路使用P沟道MOSFET Qj来控制输出电压的变化率(图1)。用包含Q4和Rcs的恒流源驱动MOSFET,该源为栅极至源极电阻Ros馈电。

著录项

  • 来源
    《Electrical Design News》 |2011年第18期|p.52-53|共2页
  • 作者

    Fabien Dubois;

  • 作者单位

    Ampere Lab, Lyon, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:30:07

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