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【24h】

MOSFET provides high power at low loss

机译:MOSFET以低损耗提供高功率

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摘要

BPN-junction diodes often have a dropout voltage of approximately 1.2V for silicon power diodes. That voltage drop causes power diodes to dissipate considerable power, resulting in a loss of efficiency in a power supply. In a photovoltaic panel with 120W of power and 24V nominal voltage, an antireturn diode may cause a power loss of 6W, or 5% of the managed energy. Moreover, the cost of developing a cooling system for dissipating the heat diodes may pose a problem.
机译:对于硅功率二极管,BPN结二极管的压差通常约为1.2V。该电压降会导致功率二极管耗散大量功率,从而导致电源效率下降。在功率为120W,标称电压为24V的光伏面板中,防回流二极管可能会导致6W的功率损耗,即所管理能量的5%。此外,开发用于耗散热二极管的冷却系统的成本可能带来问题。

著录项

  • 来源
    《Electrical Design News》 |2011年第9期|p.4648-49|共3页
  • 作者单位

    Vigo University, Vigo, Spain;

    Vigo University, Vigo, Spain;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 00:30:00

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