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Hall-effect Latch Protects Against High Voltage Transients

机译:霍尔效应锁存器可防止高压瞬变

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摘要

Allegro Microsystems, Inc. announced a new, two-wire, Halleffect latch that is programmed at the factory to optimize the magnetic switch point accuracy. The A1244 Hall-effect latch uses the same high frequency, four-phase, chopper-stabilization technique that is used on complementary devices in this family (unipolar switches). Allegro's advanced BiCMOS wafer fabrication process is used to achieve magnetic stability over temperature and to eliminate offset inherent in single-element devices, when exposed to harsh-application environments.
机译:Allegro Microsystems,Inc.宣布了一种新的两线式Halleffect锁存器,该锁存器在工厂进行了编程,以优化磁性开关点的精度。 A1244霍尔效应锁存器使用与该系列互补设备(单极开关)相同的高频四相斩波稳定技术。 Allegro先进的BiCMOS晶圆制造工艺用于在恶劣的应用环境中实现在整个温度范围内的磁稳定性,并消除单元素设备固有的偏移。

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  • 来源
    《ECN》 |2012年第3期|p.33|共1页
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