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机译:触点附近的缺陷区域对底部栅极底部接触有机TFT的电学特性的作用
IMM-CNR, Roma, Italy;
Contact effects; OTFTs; numerical simulations;
机译:具有肖特基接触的底栅,底接触有机薄膜晶体管中与沟道长度有关的电学特性的实验和数值分析
机译:从单个底栅/顶接触有机晶体管的电特性中提取接触电阻和沟道参数
机译:压延在改善印刷的顶栅,底接触有机薄膜晶体管的电气特性中的应用
机译:粘附层对底部接触有机薄膜晶体管电学性能的影响
机译:n型4H碳化硅的不均匀性及其对肖特基接触电特性的影响。
机译:石墨烯掺杂电平附近石墨烯光电探测器电气接触区附近的影响
机译:底栅,底接触并五苯薄膜晶体管的分子掺杂效应
机译:au / Gasb触点的界面反应和电学特性