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机译:使用Poly-Si牺牲层工艺制备3nm厚的Si 3 sum> n 4 sub>用于固态纳米孔的膜
机译:使用原子层沉积的AI_2O_3作为牺牲层制备多晶硅/金纳米间隙
机译:使用牺牲多晶硅籽晶层制造基于弛豫的压电能量收集器
机译:使用聚焦电子束诱导的XeF2气体刻蚀在多层硅基膜中制备纳米孔
机译:使用多晶硅作为膜和牺牲层材料的新型电容微加工超声换能器(cMUT)的制备和表征
机译:超薄固态纳米孔:制造与应用。
机译:使用多晶硅牺牲层工艺制造用于固态纳米孔的3nm厚的Si3N4膜
机译:使用牺牲性多晶硅籽晶层制造基于松弛器的压电能量收集器