Virtual prototype and GaN HEMT based high frequency LLC converter design

Long Xiao; Liang Wu; Jun Zhao; Guozhu Chen

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Virtual prototype and GaN HEMT based high frequency LLC converter design

机译：虚拟原型和GaN HEMT高频LLC转换器设计

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Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) with the merits of the fast switch speed, low on resistance and low switch loss is applicable to high-frequency LLC converters. However, voltage stress and ringing problems during the fast swi

机译：氮化镓（GaN）高电子 - 迁移率晶体管（HEMT）具有快速开关速度的优点，电阻低，开关损耗低，适用于高频LLC转换器。但是，在快速的SWI期间，电压应力和振铃问题

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来源
《The Journal of Engineering》 |2019年第7期|4672-4674|共3页
作者
Long Xiao; Liang Wu; Jun Zhao; Guozhu Chen;
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作者单位

College of Electrical Engineering Zhejiang University People's Republic of China;

College of Electrical Engineering Zhejiang University People's Republic of China;

College of Electrical Engineering Zhejiang University People's Republic of China;

Colleg;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
III-V semiconductors; gallium compounds; wide band gap semiconductors; resonant power convertors; HEMT circuits; virtual prototyping;

机译：III-V半导体;镓化合物;宽带隙半导体;谐振电源转换器;HEMT电路;虚拟原型;

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