机译:CVD法在Ge(100)/ Si(100)衬底上生长石墨烯
机译:在低衬底温度下{100}取向的CVD金刚石膜生长的原子尺度KMC模拟-第一部分,Joe-Badgwell-Hauge模型下的CVD金刚石膜生长的模拟
机译:在低衬底温度下{100}取向CVD金刚石膜生长的原子尺度KMC模拟-第一部分,Joe-Badgwell-Hauge模型下CVD金刚石膜生长的模拟
机译:在低衬底温度下{100}取向CVD金刚石膜生长的原子尺度KMC模拟-第二部分C-H系统和含Cl体系中CVD金刚石膜生长的模拟
机译:缓冲层,用于在非常规底物上进行HTC超导体的生长:Pt <100>和CeO_2 <100>取向薄膜的MOCVD沉积
机译:在SiO 2衬底上通过剥落的石墨烯种子进行CVD生长石墨烯。
机译:CVD法在Ge(100)/ Si(100)衬底上生长石墨烯
机译:在Ge(100)上研究石墨烯的CVD合成:朝逐层生长