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机译:肖特基二极管的反向偏置退火:与非晶硅相比,多晶硅具有更低的缺陷密度和更好的稳定性的证据
机译:SB取代对AgBise2中结构运输性能的局部结构及影响
机译:氢化多晶硅的微观结构及其对输运性能的影响
机译:退火对液晶聚合物中吸附和传输性质的影响。
机译:一维PDI8-CN2纳米线的自组装和电荷迁移性质的溶剂汽化退火研究
机译:钛取代对纳米晶体单相ND-Fe-B磁体磁性和微观结构的影响
机译:III-V族化合物半导体深层缺陷和输运特性与生长参数和退火条件的研究。