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机译:工艺参数优化对阈值电压对HfO2 / TiSi2 18 nm PMOS显影的影响
机译:工艺参数优化对HFO2 / TISI2 18 NM PMOS阈值电压的影响
机译:对工艺参数进行统计优化,以减少32 nm PMOS晶体管阈值电压的变化
机译:45 nm NMOS器件中输入工艺参数阈值电压变化的优化
机译:工艺参数对18NM NMOS装置阈值电压和漏电流的影响
机译:研究工艺参数变化对离子束溅射Sc2O3和HfO2薄膜的材料性能和激光损伤性能的影响。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:对18nm HFO2 / TISI2 NMOS阈值电压优化对照因子的影响