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机译:Z = 20–42的类He离子的电子冲击激发
机译:He样Fe24 +离子电子碰撞激发后辐射级联对辐射的极化和角分布的影响
机译:电子碰撞激发高电荷的H类和He类离子后,量子干扰对X射线辐射的偏振和角分布的影响
机译:评论“使用Breit-Pauli R-矩阵方法对类似氩气的Ni XI进行电子碰撞激发” [Eur。物理J. D 42,235-241(2007)]-Ni XI的电子冲击激发
机译:电子冲击电离的直接和间接过程为1s〜2〜1s_0地面和1s2s〜3s_1亚〜(5+)离子
机译:在10、17、25和35 AMeV下的铜63 +钼92,100和在20 AMeV下的氖20 + --144,148,154的激发能沉积和裂变过程。
机译:低能电子撞击引起胞嘧啶电子激发的绝对截面
机译:He-Like离子的电子冲击激发= 20-42