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机译:p型双掺杂对两种极性金属互化物La4.57(1)Li0.43Ge3.80(3)In0.20和Nd4.32(1)Li0.68Ge3.87(3)的晶体和电子结构的影响In0.13
机译:P型双掺杂对两种极性金属间金属间晶体和电子结构的影响:LA_(4.57(1))LI_(0.43)GE_(3.80(3))IN_(0.20)和ND_(4.32(1))LI_ (0.68)GE_(3.87(3))IN_(0.13)
机译:Sr2Pd4Al5:极性金属间化合物的合成,晶体和电子结构以及化学键合
机译:富金属化合物的电子结构和化学键合分析。 2.极性金属间化合物Cr5B3型化合物AE(5)T(3)中存在二聚体(TT)(4-)和孤立的T2-阴离子(AE = Ca,Sr; T = Au,Ag,Hg,Cd,锌)
机译:在金属间化合物中的局部电子结构,晶体结构和磁性排序之间的相互作用Ce_2Fe_(17-x)mn_x
机译:纯氮掺杂的纳米氧化钨薄膜的结构和电子性能。
机译:锂掺杂极性金属互化物RE2In1-xLixGe2(RE = LaNdSmGd; x = 0.13、0.28、0.43、0.53)系统的结构和化学键合
机译:P-TiCOSB金属间半导体Cu供体杂质对电子结构和电神法性能的影响