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【24h】

Semiconducting properties of oxide and passive films formed on AISI 304 stainless steel and Alloy 600

机译:在AISI 304不锈钢和600合金上形成的氧化物和钝化膜的半导体性能

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摘要

Estudaram-se as propriedades semicondutoras de filmes passivos formados em a?o inoxidável AISI 304 e em ligas de base Ni (Alloy 600) em solu??es tamp?o de borato. Os filmes foram estudados por medidas de capacidade (Mott-Schottky ) e de fotocorrente. Estudaram-se também filmes formados em a?o inoxidável AISI 304 por oxida??o ao ar, à temperatura de 350oC. Os resultados mostram que a estrutura electrónica dos filmes é comparável à de uma heterojun??o do tipo p-n, onde as cargas de espa?o desenvolvidas nas interfaces filme -- metal e filme -- electrólito devem ser consideradas. O estudo electroquímico está de acordo com os resultados analíticos que demonstram que os filmes de óxido s?o, em todos os casos, compostos por uma regi?o interna rica em óxido de crómio e por uma regi?o externa rica em óxido de ferro.
机译:研究了在硼酸盐缓冲溶液中AISI 304不锈钢和Ni基合金(合金600)中形成的钝化膜的半导体性能。通过容量(Mott-Schottky)和光电流测量来研究膜。我们还研究了在350oC下通过空气氧化在AISI 304不锈钢中形成的膜。结果表明,薄膜的电子结构与p-n型异质结的电子结构相当,其中必须考虑在薄膜-金属和薄膜-电解质界面处产生的空间电荷。电化学研究与分析结果一致,分析结果表明,在所有情况下,氧化膜均由富含氧化铬的内部区域和富含氧化铁的外部区域组成。

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