机译:通过改变衬底的位置确定脉冲激光烧蚀制备的硅纳米晶硅晶核区域的位置
机译:不同激光注量的脉冲激光烧蚀制备的纳米晶硅成核区域的宽度
机译:气体种类对脉冲激光烧蚀制备的纳米晶硅成核区域宽度的影响
机译:脉冲反应交叉激光烧蚀在单晶衬底上外延La_(1-x)Ca_xCoO_(3-δ)薄膜的成核和生长
机译:确定脉冲激光烧蚀过程中形成的Si纳米颗粒成核区域的改进方法
机译:飞秒脉冲激光烧蚀和硅衬底上用于MEMS制造的3C碳化硅膜的图案化。
机译:通过液体脉冲激光烧蚀制备的高响应性杂交α-AG2S / Si光电探测器
机译:通过改变衬底位置确定脉冲激光烧蚀制备的硅纳米晶硅晶核区的位置